Yabancı basında çıkan haberlere göre, Fransız Atom Enerjisi Ajansı'nın (CEA) bir yan kuruluşu olan Elektronik Bilgi Teknolojileri Enstitüsü'nün (Leti) mühendisleri, yeni Micro LED'ler üretme yöntemlerinin mevcut yüksek performanslı ekranların üretiminde devrim yaratacağını iddia ediyor LCD'ler ve Organik LED'lere (OLED) kıyasla Mükemmel görüntü kalitesi ve enerji verimliliği tasarımı.
Leti Photonics'in pazarlama stratejisi direktörü Francois Templier, geçtiğimiz günlerde San Jose, Kaliforniya'da düzenlenen Uluslararası Bilgi Görüntüleme Derneği (SID) sergisinde, ışık yayan yarı iletkenleri silikon tabanlı sürücü devreleriyle birleştiren yeni bir üretim süreci başlattı.
Daha yüksek görüntü çözünürlüğü gerektiren büyük boyutlu ekranların geliştirilmesi, Samsung'un milyonlarca ayrı piksel yayıcı içeren yeni ticari Micro'yu da içeren tüm ekran türlerini çalıştırmak için daha hızlı elektronik cihazlara ihtiyaç duyulduğu anlamına gelir. LED formatı ve diğer ürünler.
Bununla birlikte, ince film transistörlü (TFT) aktif matris tasarımlarına dayanan mevcut tahrik devreleri, gerekli akım ve hız gereksinimlerini karşılamamaktadır. Leti tarafından geliştirilen yeni yöntem, geleneksel bir TFT arka paneline olan ihtiyacı ortadan kaldıran basitleştirilmiş bir aktarım işlemiyle CMOS tarafından sürülen yüksek performanslı bir GaN Mikro LED ekran üretir. Kırmızı, yeşil ve mavi Mikro LED'ler, her üniteyi basit bir alıcı alt tabakaya aktarmadan önce doğrudan mikro CMOS devresinde istiflenir ve ışık yayıcılar ve arka panel aynı anda tek bir yarı iletken işleme hattında bir gofret ölçeğinde üretilir.
